求人帮忙做一道计算题（信息电子物理基础），救命！

艺术人生

题目是这样的：
+ L* Y1 @' d- m; i% u* f

在T＝300K时，在两块单晶硅A和B中分别均匀掺杂ND＝1*1017cm-3和NA=1*1016cm-3
, G7 @' u8 \; \7 W6 H1 k8 r1.
1 Z" v+ `( p% }3 a  D分别指出两种半导体的类型，并求出两种半导体中电子浓度和空穴浓度。
2.
$ ~  `% m4 c. I$ _  S如已知NC＝2.8*1019，NV＝1.04*1019，分别求出两种半导体的费米能级相对导带底或价带顶的位置。
. L6 h: O3 r- x! k8 Z3.
如由这两种半导体形成PN结，求所形成的PN结的接触电位差。
' G- i/ m% q+ [  D8 X+ `5 {Ni＝1.5*1010 cm-3 Vt＝KBT/e＝26mv
* P0 G5 H  I( \硅材料 Nc＝2.8*1019
; O" z! A3 f  yNv＝1.04*1019
" {3 y& t1 e7 m. y/ i, ^e＝1.6*10－19C
KB＝1.38*10－23J/K
0 j1 f. G/ M4 C# {5 K- c+ F


" _! ?3 d+ d1 n; b& b: d+ ?! K4 W
: ?1 q: a3 s& K好同学帮帮我，我的QQ4600533，手机13282105885，当面酬谢了。

天使3号怪盗

同学,你找对人了

鸭血粉丝汤

同学 您好!我艺术类毕业的!!!